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MOS场效应管(阵列) WINSOK WST2011

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(阵列) WINSOK WST2011

制造商型号: WST2011
制造商: WINSOK
封装/规格: SOT-23-6L
商品描述:
2P沟道 VDS=-20V VGS=±12V ID=-3.2A 2通路

PDF资料: WST2011.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1V@250µA

    漏极电流Idss

    -3.2A

    FET类型

    P+P沟道

    漏源极电压(Vdss)

    -20V

    漏源电压(Vdss)

    20V

    导通电阻Rds On(Max)

    80mΩ

    功率(Max)

    1.4W

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-23-6L

    技术资料文档
    数据手册 WST2011.pdf

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