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MOS场效应管(单) Vishay SQ2325ES-T1_GE3

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) Vishay SQ2325ES-T1_GE3

制造商型号: SQ2325ES-T1_GE3
制造商: Vishay
封装/规格: SOT-23-3(SC-59,TO-236-3)
商品描述:
P沟道 VDS=-150V VGS=±20V ID=-840mA P=3W

PDF资料: SQ2325ES-T1_GE3.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    3.5V@250µA

    漏极电流Idss

    840mA

    FET类型

    P沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    1.77Ohm@500mA,10V

    漏源极电压(Vdss)

    150V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    150V

    导通电阻Rds On(Max)

    1.77Ω

    功率(Max)

    3W

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

    技术资料文档
    数据手册 SQ2325ES-T1_GE3.pdf

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