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MOS场效应管(阵列) DIODES DMN2016UTS-13

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(阵列) DIODES DMN2016UTS-13

制造商型号: DMN2016UTS-13
制造商: DIODES
封装/规格: TSSOP-8
商品描述:
2N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=8.58A P=880mW 2通路

PDF资料: DMN2016UTS-13.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1V@250µA

    漏极电流Idss

    8.58A

    FET类型

    N+N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    14.5毫欧@9.4A,4.5V

    漏源极电压(Vdss)

    20V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    8.58A

    导通电阻Rds On(Max)

    14.5mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    16.5nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    1495pF

    功率(Max)

    880mW

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    TSSOP-8

    技术资料文档
    数据手册 DMN2016UTS-13.pdf

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