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MOSFETs VBsemi NTS2101PT1G

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOSFETs VBsemi NTS2101PT1G

制造商型号: NTS2101PT1G
制造商: VBsemi
封装/规格: SOT-323
商品描述:
Vds=20V Id=1.4A SC70-3 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.1A 功率(Pd):500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@4.5V,1.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):2.7nC@2.5V 输入电容(Ciss@Vds):272pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):44pF@10V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

PDF资料: NTS2101PT1G.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    FET类型

    P沟道

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    3.1A

    导通电阻Rds On(Max)

    140mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    6.5nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    272pF

    功率(Max)

    0.5W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-323

    技术资料文档
    数据手册 NTS2101PT1G.pdf

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