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MOS场效应管(单) VBsemi VBTA1220N

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) VBsemi VBTA1220N

制造商型号: VBTA1220N
制造商: VBsemi
封装/规格: SOT-416
商品描述:
场效应管 SC75-3 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):850mA 功率(Pd):500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):390mΩ@2.5V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA N沟道,20V,1A,200mΩ@4.5V

PDF资料: VBTA1220N.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1V@250µA

    FET类型

    N沟道

    漏源极电压(Vdss)

    20V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    850mA

    导通电阻Rds On(Max)

    0.39Ω

    栅极电荷(Qg)(Max)

    4.1nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    105pF

    功率(Max)

    0.5W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-416

    技术资料文档
    数据手册 VBTA1220N.pdf

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