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MOSFETs IXYS IXTQ130N10T

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOSFETs IXYS IXTQ130N10T

制造商型号: IXTQ130N10T
制造商: IXYS
封装/规格: TO-3P
商品描述:
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):130A 功率(Pd):360W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.1mΩ@10V,25A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA N-CH 100V

PDF资料: IXTQ130N10T.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    4.5V@250µA

    FET类型

    N沟道

    存储温度

    -55~+175℃

    高度

    19.95mm

    长x宽/尺寸

    15.65.mm x 4.80mm

    原产国家

    America

    原始制造商

    Integrated Silicon Solution Inc

    品牌

    IXYS

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    100V

    连续漏极电流Id@25℃

    130A

    导通电阻Rds On(Max)

    9.1mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    104nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    5080pF

    工作温度(Tj)

    -55°C~175°C

    安装类型

    通孔(THT)

    封装/外壳

    TO-3P

    技术资料文档
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