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MOS场效应管(阵列) DIODES DMHC3025LSD-13

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(阵列) DIODES DMHC3025LSD-13

制造商型号: DMHC3025LSD-13
制造商: DIODES
封装/规格: SO-8
商品描述:
2N沟道+2P沟道 VDS1=30V ID1=6A VDS2=-30V ID2=-4.2A VGS=±20V P=1.5W 4通路

PDF资料: DMHC3025LSD-13.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2V@250µA

    漏极电流Idss

    6A

    FET类型

    2N+2P

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    25毫欧@5A,10V

    漏源极电压(Vdss)

    30V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    30V

    连续漏极电流Id@25℃

    6A

    导通电阻Rds On(Max)

    25mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    5.4nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    590pF

    功率(Max)

    1.5W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SO-8

    技术资料文档
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