张总
13652314007
MOSFETs VBsemi NTR4170NT1G
| 制造商型号： NTR4170NT1G | 制造商：
VBsemi |
| 封装/规格： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | |
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商品描述：
Vds=30V Id=5.3A SOT23-3 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.5A 功率(Pd)：1.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@10V,3.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.1V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：2.1nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：335pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：170pF@15V 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
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PDF资料： NTR4170NT1G.pdf | |
交货地：货期(工作日）：2小时发货
库 存：
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