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MOSFETs VBsemi FDG6303N

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOSFETs VBsemi FDG6303N

制造商型号: FDG6303N
制造商: VBsemi
封装/规格: SOT-363
商品描述:
Vds=20V Id=2.3A SC70-6 类型 N+N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.6A 功率(Pd):2.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):86mΩ@4.5V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):5nC@8V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

PDF资料: FDG6303N.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2V@250µA

    FET类型

    N+N沟道

    漏源极电压(Vdss)

    20V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    2.6A

    导通电阻Rds On(Max)

    180mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    5nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    -

    功率(Max)

    2.7W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-363

    技术资料文档
    数据手册 FDG6303N.pdf

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