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晶体管 DIODES DMT3020LFDB-7

图像仅供参考,请参阅产品规格书

晶体管 DIODES DMT3020LFDB-7

制造商型号: DMT3020LFDB-7
制造商: DIODES
封装/规格: DFN2020-6
商品描述:
MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

PDF资料: DMT3020LFDB-7.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    3V@250µA

    FET类型

    N+N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    20毫欧@9A,10V

    漏源极电压(Vdss)

    30V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    连续漏极电流Id@25℃

    7.7A

    栅极电荷(Qg)(Max)

    7nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    393pF

    功率(Max)

    700mW

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    DFN2020-6

    技术资料文档
    数据手册 DMT3020LFDB-7.pdf

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