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MOS场效应管(阵列) IR IRF7319PBF

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(阵列) IR IRF7319PBF

制造商型号: IRF7319PBF
制造商: IR
封装/规格: SOIC-8(0.154", 3.90mm Width)
商品描述:
N沟道+P沟道 VDS1=30V ID1=6.5A VDS2=-30V ID1=-4.9A VGS=±20V 2通路

PDF资料: IRF7319PBF.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1V@250µA

    漏极电流Idss

    6.5A

    FET类型

    N+P沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    29毫欧@5.8A,10V

    漏源极电压(Vdss)

    30V

    漏源电压(Vdss)

    30V

    导通电阻Rds On(Max)

    29mΩ

    功率(Max)

    2W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SO-8

    技术资料文档
    数据手册 IRF7319PBF.pdf

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