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    MOS场效应管(单) Nexperia PHB18NQ10T,118

    图像仅供参考，请参阅产品规格书

    • MOS场效应管(单) Nexperia PHB18NQ10T,118

    MOS场效应管(单) Nexperia PHB18NQ10T,118

    制造商型号： PHB18NQ10T,118
    制造商： Nexperia
    封装/规格： SOT-404,D2PAK
    商品描述：
    N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=18A P=79W

    PDF资料： PHB18NQ10T,118.pdf

    交货地：货期(工作日）：2小时发货
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    • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    4V@1mA

    FET类型

    N沟道

    不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）

    90毫欧@9A，10V

    漏源极电压（Vdss）

    100V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    100V

    连续漏极电流Id@25℃

    18A

    导通电阻Rds On(Max)

    90mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    21nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    633pF

    功率(Max)

    79W

    工作温度(Tj)

    -55°C~175°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-404,D2PAK

    技术资料文档
    数据手册 PHB18NQ10T,118.pdf

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