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MOS场效应管 ON FQD2N100TM

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管 ON FQD2N100TM

制造商型号: FQD2N100TM
制造商: ON
封装/规格: SOT-428,DPAK
商品描述:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

PDF资料: FQD2N100TM.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    5V@250µA

    漏极电流Idss

    1.6A

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    9欧姆@800mA,10V

    漏源极电压(Vdss)

    1000V(1kV)

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    1000V

    导通电阻Rds On(Max)

    7.1Ω

    功率(Max)

    2.5W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-428,DPAK

    技术资料文档
    数据手册 FQD2N100TM.pdf

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